MICROCHIP
Транзистор APTM120U10SCAVG
Фото уточняется
- Type of semiconductor module
- MOSFET transistor
- Semiconductor structure
- SiC diode/transistor
- Drain-source voltage
- 1.2kV
- Drain current
- 86A
- Корпус
- SP6
- Topology
- single transistor + series diode - parrallel diode
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | APTM120U10SCAVG |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of semiconductor module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | SiC diode/transistor |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Drain current | 86A |
| Корпус | SP6 |
| Topology | single transistor + series diode - parrallel diode |
| Electrical mounting | screw |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Pulsed drain current | 464A |
| Power dissipation | 3.29kW |
| Technology | POWER MOS 7®, SiC |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 86A; SP6; screw; Idm: 464A
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.