Антава

MICROCHIP

Термистор APTM120DA30CT1G

Type of semiconductor module
MOSFET transistor
Semiconductor structure
SiC diode/transistor
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
23 A
Корпус
SP1
Topology
boost chopper, NTC thermistor

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяAPTM120DA30CT1G
ПроизводительMICROCHIP
Type of semiconductor moduleMOSFET transistor
Semiconductor structureSiC diode/transistor
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current23 A
КорпусSP1
Topologyboost chopper, NTC thermistor
Electrical mountingPress-in PCB
On-state resistance0.36 Ω
Pulsed drain current195 A
Power dissipation657 W
ТехнологияPOWER MOS 8®, SiC
Gate-source voltage±30 V
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W

Документация

Документы пока не предоставлены.