MICROCHIP
Термистор APTM120DA30CT1G
SP1Изображение корпуса
- Type of semiconductor module
- MOSFET transistor
- Semiconductor structure
- SiC diode/transistor
- Drain-source voltage
- 1.2 kV
- Drain current
- 23 A
- Корпус
- SP1
- Topology
- boost chopper, NTC thermistor
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | APTM120DA30CT1G |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of semiconductor module | MOSFET transistor |
| Semiconductor structure | SiC diode/transistor |
| Drain-source voltage | 1.2 kV |
| Drain current | 23 A |
| Корпус | SP1 |
| Topology | boost chopper, NTC thermistor |
| Electrical mounting | Press-in PCB |
| On-state resistance | 0.36 Ω |
| Pulsed drain current | 195 A |
| Power dissipation | 657 W |
| Технология | POWER MOS 8®, SiC |
| Gate-source voltage | ±30 V |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module; SiC diode/transistor; 1.2kV; 23A; SP1; Press-in PCB; 657W
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.