Антава

MICROCHIP

Транзистор APTGT50TL601G

Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
diode/transistor
Topology
three-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage
0.6 kV
Collector current
50 A
Корпус
SP1

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяAPTGT50TL601G
ПроизводительMICROCHIP
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structurediode/transistor
Topologythree-level inverter; single-phase
Max. off-state voltage0.6 kV
Collector current50 A
КорпусSP1
Applicationphotovoltaics
Electrical mountingPress-in PCB
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current100 A
ТехнологияField Stop, Trench
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 600V; Ic: 50A; SP1; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.