Антава

MICROCHIP

Транзистор APT9M100S/TR

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
9 A
Power dissipation
335 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
±30 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT9M100S/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage1 kV
Drain current9 A
Power dissipation335 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge80nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Manufacturer standard package400pcs.
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 1kV; 9A; 335W; D3PAK,TO268

Документация

Документы пока не предоставлены.