Антава

MICROCHIP

Транзистор APT8M100B

APT8M100B
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
5A
Pulsed drain current
27A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT8M100B
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current5A
Pulsed drain current27A
Power dissipation290W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance1.8Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 5A; Idm: 27A; 290W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.