MICROCHIP
Транзистор APT80GA60LD40
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- POWER MOS 8®
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 80 A
- Power dissipation
- 625 W
- Корпус
- TO264
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | APT80GA60LD40 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | POWER MOS 8® |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 80 A |
| Power dissipation | 625 W |
| Корпус | TO264 |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 240 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 230nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 52ns |
| Turn-off time | 326ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 600V; 80A; 625W; TO264
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.