Антава

MICROCHIP

Транзистор APT75GP120B2G

APT75GP120B2G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
91 A
Power dissipation
1042 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT75GP120B2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current91 A
Power dissipation1042 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current300 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.32µC
Kind of packagetube
Turn-on time60ns
Turn-off time359ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 91A; 1042W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.