Антава

MICROCHIP

Транзистор APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40
Type of transistor
IGBT
Technology
POWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
68 A
Power dissipation
520 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT68GA60B2D40
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
TechnologyPOWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current68 A
Power dissipation520 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current202 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge198nC
Kind of packagetube
Turn-on time46ns
Turn-off time304ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 600V; 68A; 520W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.