Антава

MICROCHIP

Транзистор APT65GP60B2G

APT65GP60B2G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
96 A
Power dissipation
833 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT65GP60B2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current96 A
Power dissipation833 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current250 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.21µC
Kind of packagetube
Turn-on time84ns
Turn-off time219ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 600V; 96A; 833W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.