Антава

MICROCHIP

Транзистор APT64GA90LD30

APT64GA90LD30
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
64 A
Power dissipation
500 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT64GA90LD30
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage900 V
Collector current64 A
Power dissipation500 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current193 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge162nC
Kind of packagetube
Turn-on time44ns
Turn-off time352ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 900V; 64A; 500W; TO264

Документация

Документы пока не предоставлены.