Антава

MICROCHIP

Транзистор APT56M60L

APT56M60L
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600 V
Drain current
38 A
Pulsed drain current
210 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT56M60L
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600 V
Drain current38 A
Pulsed drain current210 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.11 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge280nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1.04kW; TO264

Документация

Документы пока не предоставлены.