Антава

MICROCHIP

Транзистор APT53N60SC6

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
600 V
Drain current
53 A
Power dissipation
417 W
Корпус
D3PAK, TO268
Gate-source voltage
±20 V

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяAPT53N60SC6
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage600 V
Drain current53 A
Power dissipation417 W
КорпусD3PAK, TO268
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance70 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge154nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 600V; 53A; 417W; D3PAK,TO268

Документация

Документы пока не предоставлены.