Антава

MICROCHIP

Транзистор APT50GT120LRDQ2G

APT50GT120LRDQ2G
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
50 A
Power dissipation
694 W
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT50GT120LRDQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current50 A
Power dissipation694 W
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge240nC
Kind of packagetube
Turn-on time73ns
Turn-off time305ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 50A; 694W; TO264

Документация

Документы пока не предоставлены.