Антава

MICROCHIP

Транзистор APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G
Type of transistor
IGBT
Technology
NPT
Collector-emitter voltage
1.2kV
Collector current
50A
Power dissipation
625W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT50GT120B2RDQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
TechnologyNPT
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current50A
Power dissipation625W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30V
Pulsed collector current150A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge340nC
Kind of packagetube
Turn-on time77ns
Turn-off time303ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 50A; 625W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.