MICROCHIP
Транзистор APT50GR120JD30
SOT227BИзображение корпуса
- Type of semiconductor module
- IGBT
- Semiconductor structure
- single transistor
- Max. off-state voltage
- 1.2 kV
- Collector current
- 50 A
- Корпус
- SOT227B
- Electrical mounting
- screw
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | APT50GR120JD30 |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of semiconductor module | IGBT |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Max. off-state voltage | 1.2 kV |
| Collector current | 50 A |
| Корпус | SOT227B |
| Electrical mounting | screw |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 200 A |
| Технология | NPT, NPT Ultra Fast IGBT, POWER MOS 8® |
| Kind of package | tube |
| Mechanical mounting | screw |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 50A; SOT227B
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.