Антава

MICROCHIP

Транзистор APT50GR120B2

APT50GR120B2
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT, POWER MOS 8®
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
50 A
Power dissipation
694 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT50GR120B2
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT, POWER MOS 8®
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current50 A
Power dissipation694 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current200 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge330nC
Kind of packagetube
Turn-on time66ns
Turn-off time324ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 50A; 694W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.