MICROCHIP
Транзистор APT50GN60BDQ3G
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- Field Stop
- Collector-emitter voltage
- 600 V
- Collector current
- 64 A
- Power dissipation
- 366 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | APT50GN60BDQ3G |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | Field Stop |
| Collector-emitter voltage | 600 V |
| Collector current | 64 A |
| Power dissipation | 366 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 150 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 325nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 45ns |
| Turn-off time | 0.4µs |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 64A; 366W; TO247-3
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.