Антава

MICROCHIP

Транзистор APT50GN120B2G

APT50GN120B2G
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
66 A
Power dissipation
543 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT50GN120B2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current66 A
Power dissipation543 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge315nC
Kind of packagetube
Turn-on time55ns
Turn-off time0.6µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 66A; 543W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.