Антава

MICROCHIP

Транзистор APT50GN120B2G

APT50GN120B2G
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop
Collector-emitter voltage
1.2kV
Collector current
66A
Power dissipation
543W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT50GN120B2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current66A
Power dissipation543W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30V
Pulsed collector current150A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge315nC
Kind of packagetube
Turn-on time55ns
Turn-off time0.6µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 66A; 543W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.