Антава

MICROCHIP

Транзистор APT5017BVRG

APT5017BVRG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS V®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
30 A
Power dissipation
370 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT5017BVRG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS V®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current30 A
Power dissipation370 W
КорпусTO247
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.17 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge300nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 370W; TO247

Документация

Документ производителя