Антава

MICROCHIP

Транзистор APT5010B2VRG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 5®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
500 V
Drain current
47 A
Pulsed drain current
188 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT5010B2VRG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage500 V
Drain current47 A
Pulsed drain current188 A
Power dissipation520 W
КорпусTO247MAX
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge470nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 500V; 47A; Idm: 188A

Документация

Документы пока не предоставлены.