Антава

MICROCHIP

Транзистор APT4F120S

APT4F120S
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
3 A
Pulsed drain current
15 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT4F120S
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current3 A
Pulsed drain current15 A
Power dissipation175 W
КорпусD3PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance4.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge43nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 175W; D3PAK

Документация

Документы пока не предоставлены.