Антава

MICROCHIP

Транзистор APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
54 A
Power dissipation
625 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT45GP120B2DQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current54 A
Power dissipation625 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current170 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge185nC
Kind of packagetube
Turn-on time47ns
Turn-off time230ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 54A; 625W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.