Антава

MICROCHIP

Транзистор APT43GA90BD30

APT43GA90BD30
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
43 A
Power dissipation
337 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 64 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%1 461,31 ₽

Сумма · с НДС 22%1 461,31 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 11 461,31 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAPT43GA90BD30
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 8®, PT
Collector-emitter voltage900 V
Collector current43 A
Power dissipation337 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current129 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge116nC
Kind of packagetube
Turn-on time28ns
Turn-off time246ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 900V; 43A; 337W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.