Антава

MICROCHIP

Транзистор APT40GP90B2DQ2G

APT40GP90B2DQ2G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
50 A
Power dissipation
543 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT40GP90B2DQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage900 V
Collector current50 A
Power dissipation543 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Turn-on time37ns
Turn-off time0.22µs
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.