Антава

MICROCHIP

Транзистор APT40GP60B2DQ2G

APT40GP60B2DQ2G
Type of transistor
IGBT
Technology
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
62 A
Power dissipation
543 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT40GP60B2DQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
TechnologyPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current62 A
Power dissipation543 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge135nC
Kind of packagetube
Turn-on time49ns
Turn-off time160ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 600V; 62A; 543W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.