Антава

MICROCHIP

Транзистор APT38F80B2

APT38F80B2
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
26 A
Pulsed drain current
150 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT38F80B2
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current26 A
Pulsed drain current150 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO247MAX
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.24 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW

Документация

Документы пока не предоставлены.