Антава

MICROCHIP

Транзистор APT35GP120B2DQ2G

APT35GP120B2DQ2G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
46 A
Рассеиваемая мощность
543 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 24 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%10 783,85 ₽

Сумма · с НДС 22%10 783,85 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 110 783,85 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяAPT35GP120B2DQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current46 A
Рассеиваемая мощность543 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current140 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Turn-on time36ns
Turn-off time0.22µs
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.