Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Транзистор APT35GP120B2D2G

APT35GP120B2D2G
Type of transistor
IGBT
Technology
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
1.2kV
Collector current
46A
Power dissipation
543W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT35GP120B2D2G
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of transistorIGBT
TechnologyPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current46A
Power dissipation543W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30V
Pulsed collector current140A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Turn-on time36ns
Turn-off time0.22µs
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.