MICROCHIP
Транзистор APT35GA90B
- Type of transistor
- IGBT
- Технология
- POWER MOS 8®
- Collector-emitter voltage
- 900 V
- Collector current
- 35 A
- Power dissipation
- 290 W
- Корпус
- TO247-3
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | APT35GA90B |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of transistor | IGBT |
| Технология | POWER MOS 8® |
| Collector-emitter voltage | 900 V |
| Collector current | 35 A |
| Power dissipation | 290 W |
| Корпус | TO247-3 |
| Gate-emitter voltage | ±30 V |
| Pulsed collector current | 105 A |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Gate charge | 84nC |
| Kind of package | tube |
| Turn-on time | 25ns |
| Turn-off time | 298ns |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: IGBT; 900V; 35A; 290W; TO247-3
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.