Антава

MICROCHIP

Транзистор APT35GA90B

APT35GA90B
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 8®
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
35 A
Power dissipation
290 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяAPT35GA90B
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 8®
Collector-emitter voltage900 V
Collector current35 A
Power dissipation290 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current105 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge84nC
Kind of packagetube
Turn-on time25ns
Turn-off time298ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 900V; 35A; 290W; TO247-3

Документация

Документ производителя