Антава

MICROCHIP

Транзистор APT33GF120B2RDQ2G

APT33GF120B2RDQ2G
Type of transistor
IGBT
Technology
NPT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
30 A
Power dissipation
357 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT33GF120B2RDQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
TechnologyNPT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current30 A
Power dissipation357 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current75 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Turn-on time31ns
Turn-off time355ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 30A; 357W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.