Антава

MICROCHIP

Транзистор APT31M100L

APT31M100L
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
20 A
Pulsed drain current
120 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT31M100L
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current20 A
Pulsed drain current120 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance0.38 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 20A; Idm: 120A; 1.04kW; TO264

Документация

Документы пока не предоставлены.