Антава

MICROCHIP

Транзистор APT30GP60BDQ1G

APT30GP60BDQ1G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
600 V
Collector current
49 A
Power dissipation
463 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT30GP60BDQ1G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage600 V
Collector current49 A
Power dissipation463 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current120 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Turn-on time31ns
Turn-off time165ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 600V; 49A; 463W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.