Антава

MICROCHIP TECHNOLOGY

Транзистор APT29F100L

APT29F100L
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
19A
Pulsed drain current
120A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT29F100L
ПроизводительMICROCHIP TECHNOLOGY
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current19A
Pulsed drain current120A
Power dissipation1.04kW
КорпусTO264
Gate-source voltage±30V
On-state resistance440mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 19A; Idm: 120A; 1.04kW; TO264

Документация

Документы пока не предоставлены.