Антава

MICROCHIP

Транзистор APT29F100B2

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1kV
Drain current
30A
Power dissipation
1.04kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT29F100B2
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1kV
Drain current30A
Power dissipation1.04kW
КорпусT-Max
Gate-source voltage±30V
On-state resistance440mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 1040W; T-Max

Документация

Документ производителя