Антава

MICROCHIP

Транзистор APT29F100B2

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1 kV
Drain current
30 A
Power dissipation
1.04 kW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT29F100B2
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1 kV
Drain current30 A
Power dissipation1.04 kW
КорпусT-Max
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance440 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 30A; 1040W; T-Max

Документация

Документ производителя