Антава

MICROCHIP

Транзистор APT28M120B2

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
POWER MOS 8®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2kV
Drain current
18A
Pulsed drain current
104A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT28M120B2
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPOWER MOS 8®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2kV
Drain current18A
Pulsed drain current104A
Power dissipation1135W
КорпусTO247MAX
Gate-source voltage±30V
On-state resistance530mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge300nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 18A; Idm: 104A; 1135W

Документация

Документы пока не предоставлены.