Антава

MICROCHIP

Транзистор APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G
Type of transistor
IGBT
Технология
Thunderblot IGBT®
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
347 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT25GT120BRDQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияThunderblot IGBT®
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность347 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current75 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge170nC
Kind of packagetube
Turn-on time41ns
Turn-off time0.22µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1200V; 25A; 347W; TO247-3

Документация

Документ производителя