Антава

MICROCHIP

Транзистор APT25GP90BDQ1G

APT25GP90BDQ1G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
36 A
Power dissipation
417 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT25GP90BDQ1G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage900 V
Collector current36 A
Power dissipation417 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current110 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge110nC
Kind of packagetube
Turn-on time29ns
Turn-off time190ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 900V; 36A; 417W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.