Антава

MICROCHIP

Транзистор APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
33 A
Power dissipation
272 W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT25GN120B2DQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current33 A
Power dissipation272 W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current75 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Turn-on time39ns
Turn-off time560ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.