Антава

MICROCHIP

Транзистор APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G
Type of transistor
IGBT
Technology
Field Stop
Collector-emitter voltage
1.2kV
Collector current
33A
Power dissipation
272W
Корпус
T-Max
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT25GN120B2DQ2G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
TechnologyField Stop
Collector-emitter voltage1.2kV
Collector current33A
Power dissipation272W
КорпусT-Max
Gate-emitter voltage±30V
Pulsed collector current75A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge155nC
Kind of packagetube
Turn-on time39ns
Turn-off time560ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 33A; 272W; T-Max

Документация

Документы пока не предоставлены.