Антава

MICROCHIP

Транзистор APT15GT120BRDQ1G

APT15GT120BRDQ1G
Type of transistor
IGBT
Технология
NPT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
18 A
Рассеиваемая мощность
250 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT15GT120BRDQ1G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияNPT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current18 A
Рассеиваемая мощность250 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current45 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge105nC
Kind of packagetube
Turn-on time21ns
Turn-off time137ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Part statusNot recommended for new designs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 18A; 250W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.