Антава

MICROCHIP

Транзистор APT15GP90BDQ1G

APT15GP90BDQ1G
Type of transistor
IGBT
Технология
POWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
21 A
Power dissipation
250 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT15GP90BDQ1G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияPOWER MOS 7®, PT
Collector-emitter voltage900 V
Collector current21 A
Power dissipation250 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current60 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Turn-on time23ns
Turn-off time170ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; PT; 900V; 21A; 250W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.