Антава

MICROCHIP

Транзистор APT15GN120BDQ1G

APT15GN120BDQ1G
Type of transistor
IGBT
Технология
Field Stop
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
22 A
Рассеиваемая мощность
195 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT15GN120BDQ1G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorIGBT
ТехнологияField Stop
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current22 A
Рассеиваемая мощность195 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±30 V
Pulsed collector current45 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge90nC
Kind of packagetube
Turn-on time19ns
Turn-off time355ns
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; Field Stop; 1.2kV; 22A; 195W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.