Антава

MICROCHIP

Транзистор APT1201R4BLLG

APT1201R4BLLG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 7®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
9 A
Power dissipation
300 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT1201R4BLLG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 7®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current9 A
Power dissipation300 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.4 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge0.12µC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 9A; 300W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.