Антава

MICROCHIP

Транзистор APT1201R2BLLG

APT1201R2BLLG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 7®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
12 A
Power dissipation
400 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT1201R2BLLG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 7®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current12 A
Power dissipation400 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance1.2 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 12A; 400W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.