Антава

MICROCHIP

Транзистор APT11N80BC3G

APT11N80BC3G
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
CoolMOS™
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
800 V
Drain current
11 A
Pulsed drain current
33 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяAPT11N80BC3G
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияCoolMOS™
Polarisationunipolar
Drain-source voltage800 V
Drain current11 A
Pulsed drain current33 A
Power dissipation156 W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.45 Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge60nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Part statusNot recommended for new designs
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.