Антава

MICROCHIP

Транзистор APT10M19SVRG

APT10M19SVRG
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
POWER MOS 5®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
75 A
Pulsed drain current
300 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT10M19SVRG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияPOWER MOS 5®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current75 A
Pulsed drain current300 A
Power dissipation370 W
КорпусD3PAK
Gate-source voltage±30 V
On-state resistance19 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge300nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.