Антава

MICROCHIP

Транзистор APT10M19BVRG

APT10M19BVRG
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
POWER MOS 5®
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100V
Drain current
75A
Pulsed drain current
300A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяAPT10M19BVRG
ПроизводительMICROCHIP
Type of transistorN-MOSFET
TechnologyPOWER MOS 5®
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100V
Drain current75A
Pulsed drain current300A
Power dissipation370W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage±30V
On-state resistance19mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge300nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A

Документация

Документы пока не предоставлены.